第三代新型宽禁带半导体器件SiC及GaN具有耐高温、耐高压、可在更高频率下工作等优良的器件属性，但是由于目前落后的封装技术，一些优良的器件性能却未能充分体现。鉴于此背景，本项目的研究内容为，开发创新的功率模块的封装技术及工艺，将宽禁带半导体器件本身的优良性能充分发挥出来，充分体现宽禁带功率模块的高温、高压、高频工作特性以及实现产品小型化和轻量化。本项目的目标，是要建设一个小型的样板工厂，采购必要的设备，开发创新的封装技术，提升SiC功率模块的性能以及功率密度，包括开发高可靠度的高温芯片连接材料并降低成本，提升SiC功率模块的工作温度超过200C，开发无引线封装技术以期开发出双面冷却模块以及3D封装的功率模块技术。本项目的意义在于，首先填补了国家在宽禁带功率半导体封装领域的技术空白，其次，通过本项目，可以培养并引进一批在功率半导体领域的关键技术高端人才，培养国内的原材料供应商并帮助其产业升级，再次，通过本项目的实施，与当地高校及其他相关研究机构进行产学研合作，搭建企业与高校的桥梁，最后，帮助在落地区域建设一个第三代宽禁带半导体产业生态链群，增加就业，提升经济。

上下班车，每月补贴，免费篮球场、健身房、咖啡厅等

松山湖材料实验室（以下简称“材料实验室”）坐落于粤港澳大湾区主要核心城市之一的东莞市，毗邻中国散裂中子源，以中国科学院物理研究所为牵头单位，由东莞市政府、中国科学院物理研究所和中国科学院高能物理研究所共建，于2018年4月完成事业单位注册，2019年6月17日正式开启项目动工，总体规划1200亩，总经费预算约120亿元，首期计划投资经费50亿元，首期基础设施建设周期为2019年-2020年。

       未来将布局前沿科学研究、创新样板工厂、公共技术平台和大科学装置、粤港澳交叉科学中心四大核心板块，形成“前沿基础研究→应用基础研究→产业技术研究→产业转化”的全链条研究模式。定位于成为有国际影响力的新材料研发南方基地、未来国家物质科学研究的重要组成部分、粤港澳交叉开放的新窗口及具有国际品牌效应的粤港澳科研中心。

       材料实验室实行理事会领导下的实验室主任负责制，为广东省事业单位，王恩哥院士担任理事长，汪卫华院士担任实验室主任，赵忠贤院士担任学术委员会主任。