项目描述:
SiC是理想的功率半导体材料。SiC功率芯片/器件具有高效、损耗小、体积小、轻便、故障率低和成本低等应用优势,在新能源汽车、智能电网、轨道交通、高等电源和白色家电等领域有广阔的市场前景,但国外公司借助技术优势,在SiC中高压芯片(³1700V)领域形成高度垄断,严重影响了我国相关产业的发展和技术进步。
本项目利用松山湖材料实验室的平台优势,通过突破核心关键技术和汇聚高层次人才,在三年内实现1200V、1700V和3300VSiCMOSFET和二极管的产业化,五年内实现6500V和10kV SiCMOSFET和二极管核心技术的突破,逐步推向产业化,在现有10项已授权发明专利的基础上构建较为完善的知识产权体系。
本项目将在材料实验室形成材料、芯片/器件和应用的完整产业链,服务比亚迪、南方电网、华为、中兴通讯和中车等关键用户,将显著提升东莞市和广东省现代电力电子产业的核心竞争力。