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项目
SiC中高压功率半导体芯片/器件的研发和产业化
已报名人数:3    报名截止时间:2023-05-31
技术领域: 电子信息 - 新型电子元器件
项目类型:联合培养     科研项目等级:内部立项
项目来源:松山湖材料实验室创新样板工厂项目
发布时间:2019-12-10

项目描述:

SiC是理想的功率半导体材料。SiC功率芯片/器件具有高效、损耗小、体积小、轻便、故障率低和成本低等应用优势,在新能源汽车、智能电网、轨道交通、高等电源和白色家电等领域有广阔的市场前景,但国外公司借助技术优势,在SiC中高压芯片(³1700V)领域形成高度垄断,严重影响了我国相关产业的发展和技术进步。

      本项目利用松山湖材料实验室的平台优势,通过突破核心关键技术和汇聚高层次人才,在三年内实现1200V、1700V和3300VSiCMOSFET和二极管的产业化,五年内实现6500V和10kV SiCMOSFET和二极管核心技术的突破,逐步推向产业化,在现有10项已授权发明专利的基础上构建较为完善的知识产权体系。

      本项目将在材料实验室形成材料、芯片/器件和应用的完整产业链,服务比亚迪、南方电网、华为、中兴通讯和中车等关键用户,将显著提升东莞市和广东省现代电力电子产业的核心竞争力。
研究生需求
  • 博士数量:5    硕士数量:5    实践时间要求: 12个月    研究方向: SiC中高压功率半导体芯片/器件的研发和产业化
  • 学科专业: 电子科学与技术,物理电子学,电路与系统,微电子学与固体电子学,电磁场与微波技术,电子科学与技术,物理电子学,电路与系统,微电子学与固体电子学,电磁场与微波技术

福利待遇

上下班车,每月补贴,免费篮球场、健身房、咖啡厅
企业信息
松山湖材料实验室
| 大学创新城A1栋松山湖材料实验室
| 科学研究、技术服务和地质勘查业

简介:

松山湖材料实验室(以下简称“材料实验室”)坐落于粤港澳大湾区主要核心城市之一的东莞市,毗邻中国散裂中子源,以中国科学院物理研究所为牵头单位,由东莞市政府、中国科学院物理研究所和中国科学院高能物理研究所共建,于2018年4月完成事业单位注册,2019年6月17日正式开启项目动工,总体规划1200亩,总经费预算约120亿元,首期计划投资经费50亿元,首期基础设施建设周期为2019年-2020年。

       未来将布局前沿科学研究、创新样板工厂、公共技术平台和大科学装置、粤港澳交叉科学中心四大核心板块,形成“前沿基础研究→应用基础研究→产业技术研究→产业转化”的全链条研究模式。定位于成为有国际影响力的新材料研发南方基地、未来国家物质科学研究的重要组成部分、粤港澳交叉开放的新窗口及具有国际品牌效应的粤港澳科研中心。

       材料实验室实行理事会领导下的实验室主任负责制,为广东省事业单位,王恩哥院士担任理事长,汪卫华院士担任实验室主任,赵忠贤院士担任学术委员会主任。