项目描述：
项目研究内容：研究不同SiC MOSFET的电性能测试方法，以及高压和温度偏置下器件的可靠性分析。项目研究方法和目标：从SiC的材料特性出发，结合新能源汽车的实际应用场景，以车用模块测试标准AQG324为基础，优化了实验条件，搭建车用模块的可靠性验证系统。针对以HPD、62mm等模块形式封装的SiC芯片，参考AQG324标准建立可靠性评估体系，研究相应测试方法的发明专利成果，形成自己的专利墙以及护城河，建立培养自己的检测技术人才团队，让实验室的检测技术更加的成熟完善，形成体系，反哺实验室的投入以达到收支平衡，取得良性循环进一步促进中心的检测技术的发展扩大。
项目创新性及先进性
1.SiC MOSFET阈值电压准确测量问题。SiC MOSFET的阈值电压具有不稳定性，在器件测试过程中阈值电压会有明显漂移，导致其电性能测试以及高温栅偏试验后的电测试结果严重依赖于测试条件。因此提出并验证SiC MOSFET阈值电压的准确测试方法，对于SiC MOSFET准确测量具有重要意义。
2.车规级SIC MOSFET的动态老化可靠性评估方法。结合SIC MOSFET的实际使用工况，对器件做HTRB、HTGB及H3TRB考核时，用脉冲电压代替现有恒压作为测试偏置电压的，以发现器件更深层次的可靠性问题。
3、SiC功率器件检测技术方面目前的相关发明专利较为难以申请。不过南方已在此前申请多项检测技术相关的实用新型，有一定的专利申请基础。
4、SiC功率器件检测方面目前国内的标准影响力不足，且缺乏创新，多为国外标准的翻译，我们解决的问题是完善现有测试方法，提出新的测试项目，以对新材料的器件性能进行更为合理和准确的评估。